TPCF8101(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPCF8101(TE85L,F,M
État de la pièce	Discontinued at Digi-Key
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 3A, 4.5V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	VS-8 (2.9x1.5)
Paquet / cas	8-SMD, Flat Lead
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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