BAV101 L1G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	BAV101 L1G
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	250V
Courant - Rectifié moyen (Io)	200mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 100mA
La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	100nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F	4pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Package de périphérique fournisseur	Mini MELF
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 200°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BAV10	SYNSEMI	HIGH SPEED SWITCHING DIODE	Détails
BAV100	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Détails
BAV100-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Détails
BAV100-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Détails
BAV100_07	SEMIKRON	Ultrafast silicon rectifier diodes	Détails
BAV101	PHIL	BAV101 PHIL SOP New Original Stocks	Détails
BAV101 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	Détails
BAV101 L1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	Détails
BAV101-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	Détails
BAV101-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	Détails