BAV101 L1G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	BAV101 L1G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	250V
Corrente - Rettificato medio (Io)	200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Velocità	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	100nA @ 200V
Capacità @ Vr, F	4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Pacchetto dispositivo fornitore	Mini MELF
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 200°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BAV10	SYNSEMI	HIGH SPEED SWITCHING DIODE	Dettagli
BAV100	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Dettagli
BAV100-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Dettagli
BAV100-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Dettagli
BAV100_07	SEMIKRON	Ultrafast silicon rectifier diodes	Dettagli
BAV101	PHIL	BAV101 PHIL SOP New Original Stocks	Dettagli
BAV101 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	Dettagli
BAV101 L1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	Dettagli
BAV101-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	Dettagli
BAV101-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	Dettagli