| номер части | BAV101 L1G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 250V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 200mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 100mA |
| скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100nA @ 200V |
| Емкость @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Пакет устройств поставщика | Mini MELF |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BAV10 | SYNSEMI | HIGH SPEED SWITCHING DIODE | подробности |
|
BAV100 | VISHAY | Silicon Epitaxial Planar Diodes | подробности |
 |
BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | подробности |
 |
BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | подробности |
|
BAV100_07 | SEMIKRON | Ultrafast silicon rectifier diodes | подробности |
|
BAV101 | PHIL | BAV101 PHIL SOP New Original Stocks | подробности |
|
BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | подробности |
|
BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | подробности |
|
BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | подробности |
|
BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | подробности |
