BAV101 L1G - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	BAV101 L1G
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	250V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1V @ 100mA
скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	100nA @ 200V
Емкость @ Vr, F	4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Пакет устройств поставщика	Mini MELF
Рабочая температура - Соединение	-65°C ~ 200°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BAV10	SYNSEMI	HIGH SPEED SWITCHING DIODE	подробности
BAV100	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	подробности
BAV100-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	подробности
BAV100-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	подробности
BAV100_07	SEMIKRON	Ultrafast silicon rectifier diodes	подробности
BAV101	PHIL	BAV101 PHIL SOP New Original Stocks	подробности
BAV101 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	подробности
BAV101 L1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	подробности
BAV101-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	подробности
BAV101-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	подробности