BAV101-GS18 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	BAV101-GS18
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io)	250mA (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 100mA
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100nA @ 150V
Capacitance @ Vr, F	1.5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Package de périphérique fournisseur	SOD-80 MiniMELF
Température de fonctionnement - Jonction	125°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BAV10	SYNSEMI	HIGH SPEED SWITCHING DIODE	Détails
BAV100	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Détails
BAV100-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Détails
BAV100-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Détails
BAV100_07	SEMIKRON	Ultrafast silicon rectifier diodes	Détails
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BAV101 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	Détails
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BAV101-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	Détails
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