| Numéro d'article | BAV100-GS18 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 250mA (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Package de périphérique fournisseur | SOD-80 MiniMELF |
| Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
BAV10 | SYNSEMI | HIGH SPEED SWITCHING DIODE | Détails |
|
BAV100 | VISHAY | Silicon Epitaxial Planar Diodes | Détails |
 |
BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | Détails |
|
BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | Détails |
|
BAV100_07 | SEMIKRON | Ultrafast silicon rectifier diodes | Détails |
|
BAV101 | PHIL | BAV101 PHIL SOP New Original Stocks | Détails |
 |
BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | Détails |
|
BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | Détails |
|
BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | Détails |
|
BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | Détails |
