PMV50EPEAR - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMV50EPEAR
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	793pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	310mW (Ta), 455mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-236AB
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Détails
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Détails
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Détails
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Détails
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Détails
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Détails
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Détails
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails