PMV50EPEAR Descrizione dettagliata
Numero di parte |
PMV50EPEAR |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
4.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
19.2nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
793pF @ 15V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
310mW (Ta), 455mW (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 4.2A, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-236AB |
Pacchetto / caso |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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