PMV50EPEAR - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PMV50EPEAR
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	793pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	310mW (Ta), 455mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Dettagli
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Dettagli
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Dettagli
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Dettagli
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Dettagli
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Dettagli
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Dettagli
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli