PMV50UPEVL - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PMV50UPEVL
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	24pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Dettagli
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Dettagli
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Dettagli
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Dettagli
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Dettagli
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Dettagli
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Dettagli
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli