PMV50UPEVL - Nexperia USA Inc.

Número de pieza	PMV50UPEVL
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	24pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Detalles
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Detalles
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Detalles
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Detalles
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Detalles
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Detalles
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Detalles
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Detalles
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Detalles