PMV56XN,215 - NXP USA Inc.

Número de pieza	PMV56XN,215
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.76A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	650mV @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-236AB (SOT23)
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Detalles
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Detalles
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Detalles
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Detalles
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Detalles
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Detalles
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Detalles
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Detalles
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Detalles