PMV56XN,215 - NXP USA Inc.

Numéro d'article	PMV56XN,215
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.76A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	650mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Détails
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Détails
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Détails
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Détails
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Détails
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Détails
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Détails
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails