PMV50UPEVL - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMV50UPEVL
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	24pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-236AB
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Détails
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Détails
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Détails
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Détails
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Détails
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Détails
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Détails
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Détails