PMV50EPEAR Descripción detallada
Número de pieza |
PMV50EPEAR |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
4.2A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
19.2nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
793pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
310mW (Ta), 455mW (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 4.2A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-236AB |
Paquete / caja |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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