PMV50EPEAR - Nexperia USA Inc.

номер части	PMV50EPEAR
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	19.2nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	793pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	310mW (Ta), 455mW (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.2A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-236AB
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	подробности
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	подробности
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	подробности
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	подробности
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	подробности
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	подробности
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	подробности
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	подробности
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	подробности