PMV50UPE,215 - Nexperia USA Inc.

номер части	PMV50UPE,215
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15.7nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	24pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±8V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	500mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-236AB (SOT23)
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	подробности
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	подробности
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	подробности
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	подробности
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	подробности
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	подробности
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	подробности
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	подробности
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	подробности