| Numéro d'article | APT75DQ60BG |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 75A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 75A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 31ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 600V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Détails |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Détails |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Détails |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Détails |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Détails |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Détails |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Détails |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Détails |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Détails |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Détails |
