| Numero di parte | APT75DQ60BG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 75A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 75A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 31ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Dettagli |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Dettagli |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Dettagli |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Dettagli |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Dettagli |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Dettagli |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Dettagli |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Dettagli |
