APT40DC120HJ - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT40DC120HJ
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Silicon Carbide Schottky
Tension - Peak Reverse (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	40A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 40A
Courant - Fuite inverse @ Vr	800µA @ 1200V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur	SOT-227
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	Détails
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	Détails
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	Détails
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	Détails
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	Détails
APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	Détails
APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	Détails
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	Détails