APT40DQ100BG - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT40DQ100BG
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	40A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	3V @ 40A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	250ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-2
Package de périphérique fournisseur	TO-247 [B]
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	Détails
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	Détails
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	Détails
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	Détails
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	Détails
APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	Détails
APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	Détails
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	Détails