APT4012BVR - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT4012BVR
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	37A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	290nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 18.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247AD
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	Détails
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	Détails
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	Détails
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	Détails
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	Détails
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APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	Détails
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	Détails