APT40DC120HJ - Microsemi Corporation

номер части	APT40DC120HJ
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс пика (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	40A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.8V @ 40A
Текущий - обратный утечек @ Vr	800µA @ 1200V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	подробности
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	подробности
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	подробности
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	подробности
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	подробности
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	подробности
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	подробности
APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	подробности
APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	подробности
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	подробности