| Artikelnummer | APT40DC120HJ |
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| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 40A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 40A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 800µA @ 1200V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Einzelheiten |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Einzelheiten |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | Einzelheiten |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | Einzelheiten |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | Einzelheiten |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | Einzelheiten |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | Einzelheiten |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | Einzelheiten |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | Einzelheiten |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | Einzelheiten |
