| Número de pieza | APT40DC120HJ |
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| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Single Phase |
| Tecnología | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - Pico Inverso (Máx) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 40A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 40A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 800µA @ 1200V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Detalles |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Detalles |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | Detalles |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | Detalles |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | Detalles |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | Detalles |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | Detalles |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | Detalles |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | Detalles |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | Detalles |
