| Numéro d'article | APT15GN120BDQ1G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 45A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Puissance - Max | 195W |
| Échange d'énergie | 410µJ (on), 950µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 90nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 10ns/150ns |
| Condition de test | 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Détails |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Détails |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Détails |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Détails |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Détails |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Détails |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Détails |
