| Numéro d'article | APT15D100BHBG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Configuration de diode | 1 Pair Series Connection |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 15A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 2.3V @ 15A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 260ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 1000V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Détails |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Détails |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
|
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
|
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Détails |
|
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Détails |
|
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Détails |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Détails |
|
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Détails |
