• France
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › APT150GN60LDQ4G
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT150GN60LDQ4G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 600V 220A 536W TO-264L
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APT150GN60LDQ4G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1166 pcs
Prix ​​de référence
USD 23.2504/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G Description détaillée

Numéro d'article APT150GN60LDQ4G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 220A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A
Puissance - Max 536W
Échange d'énergie 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 970nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 44ns/430ns
Condition de test 400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur TO-264 [L]
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR APT150GN60LDQ4G

Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
APT150GN120J APT150GN120J Microsemi Corporation IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Détails
APT150GN120JDQ4 APT150GN120JDQ4 Microsemi Corporation IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Détails
APT150GN60B2G APT150GN60B2G Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W SOT227 Détails
APT150GN60J APT150GN60J Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W SOT227 Détails
APT150GN60JDQ4 APT150GN60JDQ4 Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W SOT227 Détails
APT150GN60LDQ4G APT150GN60LDQ4G Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W TO-264L Détails
APT150GT120JR APT150GT120JR Microsemi Corporation IGBT 1200V 170A 830W SOT227 Détails
APT15D100BCTG APT15D100BCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 Détails
APT15D100BG APT15D100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 Détails
APT15D100BHBG APT15D100BHBG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 Détails