| Artikelnummer | APT150GN60LDQ4G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 220A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 450A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Leistung max | 536W |
| Energie wechseln | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 970nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 44ns/430ns |
| Testbedingung | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Einzelheiten |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Einzelheiten |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Einzelheiten |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Einzelheiten |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Einzelheiten |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Einzelheiten |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Einzelheiten |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Einzelheiten |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Einzelheiten |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Einzelheiten |
