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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT150GN60B2G
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT150GN60B2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 220A 536W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT150GN60B2G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
47 pcs
Referenzpreis
USD 21.3/pcs
Unser Preis
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APT150GN60B2G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT150GN60B2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 220A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 450A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A
Leistung max 536W
Energie wechseln 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 970nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 44ns/430ns
Testbedingung 400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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