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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › APT150GN60B2G
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT150GN60B2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 600V 220A 536W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT150GN60B2G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
47 pcs
Prezzo di riferimento
USD 21.3/pcs
Il nostro prezzo
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APT150GN60B2G Descrizione dettagliata

Numero di parte APT150GN60B2G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 220A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A
Potenza - Max 536W
Cambiare energia 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 970nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 44ns/430ns
Condizione di test 400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso -
Paese d'origine -

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