| Numero di parte | APT150GT120JR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 170A |
| Potenza - Max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 150µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | ISOTOP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Dettagli |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Dettagli |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Dettagli |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Dettagli |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Dettagli |
