| 品番 | APT150GT120JR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 構成 | Single |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 170A |
| 電力 - 最大 | 830W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 150µA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 9.3nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | ISOTOP |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | 詳細 |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | 詳細 |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | 詳細 |
|
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | 詳細 |
|
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | 詳細 |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | 詳細 |
|
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | 詳細 |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | 詳細 |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | 詳細 |
|
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | 詳細 |
