• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APT150GN120JDQ4
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation

品番
APT150GN120JDQ4
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APT150GN120JDQ4 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
240 pcs
参考価格
USD 55.86/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4 詳細な説明

品番 APT150GN120JDQ4
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 215A
電力 - 最大 625W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 150A
電流 - コレクタ遮断（最大） 300µA
入力容量（Cies）@ Vce 9.5nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®
重量 -
原産国 -

関連製品 APT150GN120JDQ4

画像 品番 メーカー 説明 見る
APT150GN120J APT150GN120J Microsemi Corporation IGBT 1200V 215A 625W SOT227 詳細
APT150GN120JDQ4 APT150GN120JDQ4 Microsemi Corporation IGBT 1200V 215A 625W SOT227 詳細
APT150GN60B2G APT150GN60B2G Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W SOT227 詳細
APT150GN60J APT150GN60J Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W SOT227 詳細
APT150GN60JDQ4 APT150GN60JDQ4 Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W SOT227 詳細
APT150GN60LDQ4G APT150GN60LDQ4G Microsemi Corporation IGBT 600V 220A 536W TO-264L 詳細
APT150GT120JR APT150GT120JR Microsemi Corporation IGBT 1200V 170A 830W SOT227 詳細
APT15D100BCTG APT15D100BCTG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 詳細
APT15D100BG APT15D100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 詳細
APT15D100BHBG APT15D100BHBG Microsemi Corporation DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 詳細