APT150GN60J - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT150GN60J
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	220A
Puissance - Max	536W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	25µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	9.2nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	ISOTOP
Package de périphérique fournisseur	ISOTOP®
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	Détails
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	Détails
APT10021JFLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT10021JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT1002RBN	APT	APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks	Détails
APT1002RBNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD	Détails
APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	Détails
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	Détails