| Numéro d'article | APT150GN60JDQ4 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 220A |
| Puissance - Max | 536W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 50µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 9.2nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Détails |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Détails |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Détails |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Détails |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Détails |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Détails |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Détails |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Détails |
