| 부품 번호 | APT15GN120BDQ1G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| IGBT 형 | Trench Field Stop |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 45A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) | 45A |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| 전력 - 최대 | 195W |
| 스위칭 에너지 | 410µJ (on), 950µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 90nC |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 10ns/150ns |
| 시험 조건 | 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-247 [B] |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | 세부 |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | 세부 |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | 세부 |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | 세부 |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | 세부 |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | 세부 |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | 세부 |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | 세부 |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | 세부 |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | 세부 |
