IXTT36P10 - IXYS

Numéro d'article	IXTT36P10
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-268
Paquet / cas	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXT-1-1N100S1	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Détails
IXT-1-1N100S1-TR	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Détails
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Détails
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Détails
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Détails
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	Détails
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	Détails
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Détails