| 品番 | IXTT36P10 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IXT-1-1N100S1 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | 詳細 |
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IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | 詳細 |
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IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 詳細 |
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IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 詳細 |
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IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | 詳細 |
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IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | 詳細 |
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IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | 詳細 |
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IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | 詳細 |
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IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | 詳細 |
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IXTA08N100D2HV | IXYS | MOSFET N-CH | 詳細 |
