IXTF6N200P3 - IXYS

Numéro d'article	IXTF6N200P3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	2000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	143nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	215W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS i4-PAC™
Paquet / cas	ISOPLUSi5-Pak™
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTF02N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK	Détails
IXTF03N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK	Détails
IXTF1N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4	Détails
IXTF1N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK	Détails
IXTF1R4N450	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	Détails
IXTF200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5	Détails
IXTF230N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4	Détails
IXTF250N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4	Détails
IXTF280N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4	Détails
IXTF2N300P3	IXYS	MOSFET N-CH	Détails