IXTF1N400 - IXYS

Numéro d'article	IXTF1N400
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	4000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2530pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS i4-PAC™
Paquet / cas	i4-Pac™-5 (3 leads)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXT-1-1N100S1	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Détails
IXT-1-1N100S1-TR	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	Détails
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Détails
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Détails
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Détails
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IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	Détails
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Détails