IXTF6N200P3 - IXYS

부품 번호	IXTF6N200P3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	2000V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	143nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	3700pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	215W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스	ISOPLUSi5-Pak™
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXTF02N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK	세부
IXTF03N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK	세부
IXTF1N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4	세부
IXTF1N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK	세부
IXTF1R4N450	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	세부
IXTF200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5	세부
IXTF230N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4	세부
IXTF250N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4	세부
IXTF280N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4	세부
IXTF2N300P3	IXYS	MOSFET N-CH	세부