IXTF6N200P3 - IXYS

Artikelnummer	IXTF6N200P3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	2000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	143nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	215W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS i4-PAC™
Paket / Fall	ISOPLUSi5-Pak™
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTF02N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK	Einzelheiten
IXTF03N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK	Einzelheiten
IXTF1N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4	Einzelheiten
IXTF1N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK	Einzelheiten
IXTF1R4N450	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	Einzelheiten
IXTF200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5	Einzelheiten
IXTF230N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4	Einzelheiten
IXTF250N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4	Einzelheiten
IXTF280N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4	Einzelheiten
IXTF2N300P3	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten