IXTF6N200P3 - IXYS

Numero di parte	IXTF6N200P3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	2000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	143nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	215W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUS i4-PAC™
Pacchetto / caso	ISOPLUSi5-Pak™
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTF02N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK	Dettagli
IXTF03N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK	Dettagli
IXTF1N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4	Dettagli
IXTF1N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK	Dettagli
IXTF1R4N450	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	Dettagli
IXTF200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5	Dettagli
IXTF230N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4	Dettagli
IXTF250N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4	Dettagli
IXTF280N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4	Dettagli
IXTF2N300P3	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli