IXTF2N300P3

IXTF2N300P3 - IXYS

Artikelnummer
IXTF2N300P3
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4165 pcs
Referenzpreis
USD 39.52/pcs
Unser Preis
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IXTF2N300P3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTF2N300P3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 3000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™
Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™
Gewicht -
Ursprungsland -

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