IXTF2N300P3 - IXYS

Numéro d'article	IXTF2N300P3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	3000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1890pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	160W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS i4-PAC™
Paquet / cas	ISOPLUSi5-Pak™
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTF02N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK	Détails
IXTF03N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK	Détails
IXTF1N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4	Détails
IXTF1N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK	Détails
IXTF1R4N450	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	Détails
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IXTF250N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4	Détails
IXTF280N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4	Détails
IXTF2N300P3	IXYS	MOSFET N-CH	Détails