C3M0120100J - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	C3M0120100J
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)	1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	21.5nC @ 15V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 600V
Vgs (Max)	+15V, -4V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 15A, 15V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	Détails
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	Détails
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	Détails
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	Détails
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET	Détails
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	Détails