| Numéro d'article | C3M0120100J |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 15V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK-7 |
| Paquet / cas | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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C3M0075120J-TR | Cree/Wolfspeed | 1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON | Détails |
