C3M0120100J - Cree/Wolfspeed

Artikelnummer	C3M0120100J
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	21.5nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 600V
Vgs (Max)	+15V, -4V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 15A, 15V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK-7
Paket / Fall	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	Einzelheiten
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	Einzelheiten
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Einzelheiten
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	Einzelheiten
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	Einzelheiten
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	Einzelheiten
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	Einzelheiten
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	Einzelheiten
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET	Einzelheiten
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	Einzelheiten