Artikelnummer | C3M0120100J |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
Vgs (Max) | +15V, -4V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D2PAK-7 |
Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |