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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › STH110N7F6-2
STH110N7F6-2

STH110N7F6-2 - STMicroelectronics

Número de pieza
STH110N7F6-2
Fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
STH110N7F6-2 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
56141 pcs
Precio de referencia
USD 0.462/pcs
Nuestro precio
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STH110N7F6-2 Descripción detallada

Número de pieza STH110N7F6-2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 68V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5850pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 55A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor H2Pak-2
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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