STH110N10F7-6

STH110N10F7-6 - STMicroelectronics

Número de pieza
STH110N10F7-6
Fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
16838 pcs
Precio de referencia
USD 1.587/pcs
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STH110N10F7-6 Descripción detallada

Número de pieza STH110N10F7-6
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 110A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5117pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 55A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor H²PAK
Paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso -
País de origen -

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