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STH110N10F7-6 - STMicroelectronics

品番: STH110N10F7-6
メーカー: STMicroelectronics
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: STH110N10F7-6 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 16660 pcs
参考価格: USD 1.587/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

STH110N10F7-6 詳細な説明

品番	STH110N10F7-6
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	110A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	72nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5117pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	150W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6.5 mOhm @ 55A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	H²PAK
パッケージ/ケース	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量	-
原産国	-

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